基本属性
- 拼音字母wei cuo xin
- 拼音首字母wcx
- 注音符号ㄨㄟ ㄘㄨㄛ ㄒㄧㄣ
扩展释义
位错芯是研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响,使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错,和导致30°部分位错运动的弯结结构,以及位错芯重构缺陷(RD)与弯结组合而生成的弯结-RD结构。
「位错芯」是汉语中常见词语。本文从读音、释义、出处等方面为您权威解读。拼音:wèi cuò xīn,注音:ㄨㄟˋ ㄘㄨㄛˋ ㄒㄧㄣ。
位错芯是研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响,使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错,和导致30°部分位错运动的弯结结构,以及位错芯重构缺陷(RD)与弯结组合而生成的弯结-RD结构。